ZHENGZHOU SONGYU HIGH TEMPERATURE TECHNOLOGY CO.,LTD william@songyuht.com 86-0371-6289-6370
Chi tiết sản phẩm
Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: SONGYU
Điều khoản thanh toán và vận chuyển
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 10pcs
Giá bán: có thể đàm phán
chi tiết đóng gói: Vỏ gỗ
Thời gian giao hàng: 15 ngày làm việc
Điều khoản thanh toán: T/T, Western Union
Khả năng cung cấp: Công ty TNHH Công nghiệp Spark (Hà Nam)
Ứng dụng: |
Lò nhiệt độ cao |
Mật độ watt: |
9 W/cm2 |
Chiều kính: |
12mm |
Chiều dài: |
300MM |
Chiều dài vùng lạnh: |
100mm |
Kháng chiến: |
1,2Ω |
Khả năng dẫn nhiệt: |
120 W/m·K |
chiều dài vùng nóng: |
200mm |
Trọng lượng tối đa: |
8kg |
Khu vực sưởi ấm: |
Khu đơn |
Điện áp: |
220v |
Nhiệt độ hoạt động tối đa: |
1600°C |
Hình dạng: |
hình chữ U |
Nhiệt kháng sốc: |
Tốt lắm. |
Ứng dụng: |
Lò nhiệt độ cao |
Mật độ watt: |
9 W/cm2 |
Chiều kính: |
12mm |
Chiều dài: |
300MM |
Chiều dài vùng lạnh: |
100mm |
Kháng chiến: |
1,2Ω |
Khả năng dẫn nhiệt: |
120 W/m·K |
chiều dài vùng nóng: |
200mm |
Trọng lượng tối đa: |
8kg |
Khu vực sưởi ấm: |
Khu đơn |
Điện áp: |
220v |
Nhiệt độ hoạt động tối đa: |
1600°C |
Hình dạng: |
hình chữ U |
Nhiệt kháng sốc: |
Tốt lắm. |
Tiểu loại M SiC
Đường loại thanh cacbit silicon (loại M): phù hợp để sưởi ấm đáy hoặc cả hai bên của lò nướng loại hộp lớn và lò trolley, với độ chính xác điều khiển nhiệt độ cao, dây chuyền thuận tiện,và sự khác biệt nhiệt độ nhỏCác tính chất điện của thanh silicon carbide. thanh silicon carbide là một kháng cự phi tuyến tính với sự phân tán lớn ở nhiệt độ phòng.giá trị kháng giảm dần từ nhiệt độ phòng xuống 850 °C ± 50 °C, và tăng dần giữa 800 °C ± 900 °C. Do đó, giá trị kháng cự về cơ bản ổn định giữa 1050 °C ± 50 °C. Tại thời điểm này,Kháng được đo là tương đối chuẩn và dễ dàng phù hợp trong quá trình lắp đặtCác tính chất hóa học của thanh carbon silicon: Các thanh carbon silicon có độ ổn định hóa học tốt và có thể được sử dụng liên tục trong không khí khô và sạch (1450 °C) trong tối đa 6000 giờ.Sử dụng lâu dài có thể phản ứng với oxy và hơi nước như sau:: Sic 2O2 → SiO2 CO2Sic 4H2O=SiO2 4H2 CO2. Để sử dụng thanh carbon silic hợp lý, các khí độc hại sau đây nên tránh tiếp xúc với các thành phần:hydro (H2) có thể làm hỏng cấu trúc của SiC và làm giảm độ bền cơ học của các thành phầnNitơ (N2) có thể ngăn chặn sự oxy hóa của SiC dưới 1200 °C và phản ứng với SiC trên 1350 °C, dẫn đến sự phân hủy của SiC.
| Ứng dụng | lò nhiệt độ cao |
| Mật độ watt | 9 W/cm2 |
| Chiều kính | 12mm |
| Chiều dài | 300mm |
| Chiều dài vùng lạnh | 100mm |
| Kháng chiến | 1.2 Ω |
| Khả năng dẫn nhiệt | 120 W/m·K |
| Chiều dài vùng nóng | 200mm |
