Tiểu loại M SiC

Phần tử gia nhiệt SiC loại M

Ưu điểm của thanh silicon carbide: 1) Nhiệt độ bề mặt có thể đạt 1500 độ C.
2). Bức xạ hồng ngoại gấp 5-10 lần so với dây niken-crom thông thường.
3). Độ bền cơ học cao, với độ bền uốn lên đến 100-120MPa.
4). Khả năng chống oxy hóa mạnh, chống ăn mòn mạnh và khả năng chịu sốc nhiệt tuyệt vời.
5). Tuổi thọ cao, dễ dàng lắp đặt và bảo trì.
Mô hình thanh silicon carbide: Model: Loại GD (đường kính bằng nhau) Khi đặt hàng, vui lòng cung cấp các dữ liệu sau: OD: đường kính; HZ: Chiều dài đầu nóng; CZ: Chiều dài đầu lạnh; OL: Tổng chiều dài.
Nếu bạn có yêu cầu đặc biệt về điện trở, vui lòng cho chúng tôi biết giá trị điện trở.
Việc sử dụng thanh silicon carbide: (1) Sau khi được nung nóng trong không khí, một lớp màng silicon oxide dày đặc hình thành trên bề mặt thanh silicon carbide, trở thành một lớp màng bảo vệ chống oxy hóa và kéo dài tuổi thọ của nó.
Trong những năm gần đây, nhiều lớp phủ khác nhau đã được phát triển để ngăn chặn sự nứt vỡ của thanh silicon carbide để sử dụng trong lò với các loại khí khác nhau.
(2) Dòng điện càng lớn được áp dụng cho thanh silicon carbide, nhiệt độ bề mặt của thanh silicon carbide càng cao.
Đề xuất sử dụng mật độ tải bề mặt (công suất) càng thấp càng tốt.
Vui lòng lưu ý rằng các giá trị được ghi lại trên đầu lạnh của thanh silicon carbide là dòng điện và điện áp ở 1000 ℃ trong không khí, có thể không nhất thiết khớp với việc sử dụng thực tế.
Nói chung, công suất bề mặt của thanh silicon carbide được xác định bởi mối quan hệ giữa nhiệt độ bên trong lò và nhiệt độ bề mặt của thanh silicon carbide. Nên sử dụng dòng điện và điện áp ở mật độ tối đa của thanh silicon carbide, có thể không nhất thiết khớp với việc sử dụng thực tế.
Nói chung, công suất bề mặt của thanh silicon carbide được xác định bởi mối quan hệ giữa nhiệt độ bên trong lò và nhiệt độ bề mặt của thanh silicon carbide. Nên sử dụng công suất bề mặt (W/cm2) bằng 1/2-1/3 mật độ tối đa của thanh silicon carbide. (3) Khi sử dụng liên tục thanh silicon carbide, nên tăng từ từ điện trở để duy trì tuổi thọ cao.
(4) Thanh carbon silicon nên được kết nối song song càng nhiều càng tốt.
Nếu các giá trị điện trở của thanh silicon carbide khác nhau, các thanh silicon carbide có điện trở cao nối tiếp sẽ tập trung tải, gây ra sự gia tăng nhanh chóng điện trở của một thanh silicon carbide và tuổi thọ ngắn hơn (5). Các đặc tính phân bố nhiệt độ của thanh silicon carbide yêu cầu kiểm tra trong chiều dài gia nhiệt hiệu quả của Δ 60 ℃ để được coi là đủ điều kiện cho các lô hàng mới. Tất nhiên, sự phân bố nhiệt độ sẽ tăng lên theo thời gian và cuối cùng có thể đạt tới 200 ℃.
Sự thay đổi phân bố nhiệt độ cụ thể cũng khác nhau tùy thuộc vào môi trường lò và điều kiện sử dụng.